逆变器中可控硅的控制原理主要基于 脉冲宽度调制（PWM）技术，通过控制可控硅的导通时间来调节输出电压和频率。以下是具体分析：

一、核心控制机制

PWM信号生成

控制电路生成高频PWM信号，该信号的占空比决定可控硅的导通角度。占空比越大，导通角度越大，输出电压越高；反之则越低。

触发与关断控制

- 触发：

通过控制极输入触发脉冲，使可控硅从截止状态转为导通状态。

- 关断：当阳极电流降至维持电流以下或阳极电压反向时，可控硅自动关断。

二、工作流程

正向导通阶段

当PWM信号占空比增大时，可控硅导通角度增加，输出电压波形呈现正弦波的占空比特征。

高频开关特性

采用高频PWM信号（通常为几kHz）可减少导通和关断时的能量损耗，提高效率。

三、扩展应用

频率调节：

通过改变PWM信号的频率，可同步输出电压频率，实现调频功能。

保护机制：结合快速短路保护、过压保护等电路，确保逆变器在异常情况下安全运行。

四、典型应用场景

中频炉逆变柜：利用双向可控硅实现电网电压与输出电压的同步，通过触发电路控制导通角。

UPS系统：在电网故障时快速切换至逆变模式，切换时间短至3-10ms。

总结

逆变器通过PWM技术实现高效可控，结合触发电路和反馈机制，可灵活调节输出电压、频率及功率，满足不同应用需求。